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HGTP10N120BN数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HGTP10N120BN |
| 参数属性 | HGTP10N120BN 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| 功能描述 | 1200V，NPT IGBT |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-11 23:01:00 |
| 人工找货 | HGTP10N120BN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTP10N120BN规格书详情
描述 Description
HGTP10N120BN 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如： UPS，太阳能逆变器，电机控制和电源。
特性 Features
•17A, 1200V, TC = 110°C
•低饱和电压：VCE(sat) = 2.45 V，需 IC = 10 A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为0.140ns
•短路额定值
•低传导损耗
应用 Application
不间断电源
简介
HGTP10N120BN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTP10N120BN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTP10N120BN
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，10A
- 开关能量：
320µJ（开），800µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/165ns
- 测试条件：
960V，10A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
11500 |
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询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-220 |
2940 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1948+ |
TO-220 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FSC |
11+ |
TO-220 |
31 |
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FAI |
2018+ |
26976 |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRC |
23+ |
TO-220 |
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询价 |
