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HGTG5N120BND数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HGTG5N120BND |
| 参数属性 | HGTG5N120BND 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3 |
| 功能描述 | 1200V，NPT IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | HGTG5N120BND价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTG5N120BND规格书详情
描述 Description
HGTG5N120BND 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
特性 Features
•10A, 1200V, TC = 110°C
•低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A
•典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns
•短路额定值
•低传导损耗
应用 Application
不间断电源
简介
HGTG5N120BND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG5N120BND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTG5N120BND
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，5A
- 开关能量：
450µJ（开），390µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/160ns
- 测试条件：
960V，5A，25 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
8848 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
128 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新现货HGTG5N120BND即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
TO247 |
243 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
17+ |
NA |
9888 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FSC |
2018+ |
TO-3P |
6528 |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
询价 |
