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HGTG40N60B3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
HGTG40N60B3规格书详情
描述 Description
HGTG40N60B3 是一个 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用,如: 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。
特性 Features
•70A, 600V, TC = 25°C
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间: TJ=150°C 时为 140 ns
•短路额定值
•低导通损耗
应用 Application
其他工业
简介
HGTG40N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG40N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTG40N60B3
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,40A
- 开关能量:
1.05mJ(开),800µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
47ns/170ns
- 测试条件:
480V,40A,3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 70A 290W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
INTERSIL |
24+ |
NA/ |
4095 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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20+ |
原装 |
65790 |
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HAR |
98+ |
TO247 |
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询价 | ||
HAR |
23+ |
TO247 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
仙僮 |
24+ |
TO-247 |
3200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
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FSC/ON |
23+ |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |