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HGTG40N60B3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

HGTG40N60B3

参数属性

HGTG40N60B3 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 70A 290W TO247

功能描述

600V,PT IGBT
IGBT 600V 70A 290W TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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HGTG40N60B3规格书详情

描述 Description

HGTG40N60B3 是一个 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用,如: 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。

特性 Features

•70A, 600V, TC = 25°C
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间: TJ=150°C 时为 140 ns
•短路额定值
•低导通损耗

应用 Application

其他工业

简介

HGTG40N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG40N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGTG40N60B3

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1.05mJ(开),800µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    47ns/170ns

  • 测试条件:

    480V,40A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 290W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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