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HGTG40N60A4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
HGTG40N60A4规格书详情
描述 Description
HGTG40N60A4 同时具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低导通状态损耗的最佳特性。此 IGBT 适用于务必保证低导通损耗的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。该器件已针对 UPS 和电焊机等快速开关应用进行了优化。
特性 Features
•63A, 600V @ TC = 110°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 1.7 V,需 I C = 40 A
•典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . . . TJ = 125°C时为0.55ns
•低传导损耗
应用 Application
其他工业
简介
HGTG40N60A4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG40N60A4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTG40N60A4
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,40A
- 开关能量:
400µJ(开),370µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/145ns
- 测试条件:
390V,40A,2.2欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 75A TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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1983 |
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FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FAIRCHILD |
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TO247 |
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FAIRCHILD |
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TO-247 |
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3200 |
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