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HGTG40N60B3	文件：90.25 Kbytes Page：8 Pages	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT 70A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG40N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchlower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG40N60B3	文件：76.27 Kbytes Page：7 Pages	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT TheHGTG40N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
HGTG40N60B3	文件：154.77 Kbytes Page：8 Pages	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG40N60B3	文件：65.51 Kbytes Page：6 Pages	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT	HARRIS HARRIS corporation
HGTG40N60B3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 290W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
G40N60B3	文件：154.77 Kbytes Page：8 Pages	70A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

产品属性

产品编号：
HGTG40N60B3
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
开关能量：
1.05mJ（开），800µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
47ns/170ns
测试条件：
480V，40A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 70A 290W TO247

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深圳市浩睿泽电子科技有限公司	HGTG40N60B3	onsemi/安森美	新批次	TO-247	4500		询价
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更多HGTG40N60B3供应商更新时间2024-4-28 9:44:00

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