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HGTP12N60C3D	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V, UFS IGBT 此MOS栅极高压开关器件系列充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。低得多的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。使用的IGBT是开发类型TA49123。反平行与IGBT中使用的二极管是开发类型TA49188。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49182。; •24 A、600 V，需 TC = 25°C\n•TJ = 150°C 时的典型下降时间................210 ns\n•短路额定值\n•低导通损耗\n•超快速反并联二极管\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HGTP12N60C3D	文件：99.41 Kbytes Page：7 Pages	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatelybetwee	Intersil Intersil Corporation
HGTP12N60C3D	文件：154.92 Kbytes Page：8 Pages	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatelybetwee	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTP12N60C3D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 24A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HGTP5N120BND	文件：0 bytes Page：0 Pages	FSC TO220	FSC 上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	FSC

产品属性

产品编号：
HGTP12N60C3D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
开关能量：
380µJ（开），900µJ（关）
输入类型：
标准
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 24A TO220-3

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更多HGTP12N60C3D供应商更新时间2025-8-2 23:00:00

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