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H5N2003P-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching DraintoSourcevoltageVDSS200V GatetoSourcevoltageVGSS±30V DraincurrentID60A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N2003P

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching DraintoSourcevoltageVDSS200V GatetoSourcevoltageVGSS±30V DraincurrentID60A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
日立
12+
TO-252
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
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十年配单,只做原装
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TO-251
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RENESAS
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RENESAS
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原装正品
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RENESAS/瑞萨
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代理渠道/只做原装/可含税
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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更多H5N2003P-E供应商 更新时间2025-5-28 11:03:00