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H5N2003P-E	文件：85.73 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Drain to Source voltage VDSS 200V Gate to Source voltage VGSS ±30V Drain current ID 60A 文件：85.73 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多H5N2003P-E供应商更新时间2026-1-29 11:04:00