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|---|---|---|---|---|
H5N2004DS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
H5N2004DS | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | |
H5N2004DS | Power MOSFETs; | RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | Renesas | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
HYNIX | Hynix |
技术参数
- 封装类型：
DPAK(S)/TO-252
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
200
- ID (A)：
8
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
480
- Ciss (pF) 典型值：
450
- Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
- VGSS (V)：
30
- Pch (W)：
30
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Surface Mount
- QG (nC) 典型值：
14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
日立 |
12+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
ECA |
23+ |
TO-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-252 |
32500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
42715 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-251 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 |
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