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H5N2004DSTL-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

H5N2004DSTL-E
厂商型号

H5N2004DSTL-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

91.9 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 17:10:00

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H5N2004DSTL-E规格书详情

Features

• Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp.

• Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V)

• High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A)

• Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A)

• Avalanche ratings

产品属性

  • 型号:

    H5N2004DSTL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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