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H5N2004DL	文件：91.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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H5N2004DL_15	文件：110.89 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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H5N2004DS	文件：1.42322 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
H5N2004DSTL-E	文件：91.9 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
H5N2004DL
功能描述：
Datasheet|ADE-208-1372|MAR.20.01|58K

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H5N2004DL供应商更新时间2024-5-1 11:03:00

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