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H5N2004DL-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
H5N2004DL-E规格书详情
特性 Features
• Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp.
• Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V)
• High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A)
• Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A)
• Avalanche ratings
产品属性
- 型号：
H5N2004DL-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS |
4 |
TO-252 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-251 |
100 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
TO-252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
24+ |
TO-252 |
6600 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-251 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
null |
7000 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 |
