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H5N2004DL-E规格书详情
特性 Features
• Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp.
• Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V)
• High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A)
• Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A)
• Avalanche ratings
产品属性
- 型号：
H5N2004DL-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
50 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-251 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
HITACHI |
23+ |
TO-252D-PAK |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
日立 |
12+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
42715 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
24+ |
TO-252 |
6600 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
HITACHI/日立 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 |
