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H5N2503P	文件：87.84 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：87.84 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2503P	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs and IGBT for PDP 文件：136.18 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2503P_15	文件：107.01 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：107.01 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2503P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
250
ID (A)：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
5150
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
140

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H5N2503P供应商更新时间2025-10-8 14:02:00

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