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H5N2005DL

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low drive current • High speed switching

文件:52.6 Kbytes 页数:9 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

H5N2005DL

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low drive current • High speed switching

文件:60.2 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N2005DL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low drive current • High speed switching

文件:60.2 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N2005DL_15

200V - 6A - MOS FET High Speed Power Switching

文件:89.17 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N2005DL

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    DPAK(L)-(2)/TO-251

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    200

  • ID (A):

    6

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    650

  • Ciss (pF) 典型值:

    300

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    25

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    9.8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
R
24+
TO251
5000
只做原装公司现货
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INFINEON/英飞凌
23+
P-TO252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
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RENESAS/瑞萨
2022+
TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
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RENESAS
21+
TO-252
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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原装正品
23+
TO-251
42716
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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RENESAS
2023+
TO-252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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RENESAS
24+
TO-252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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RENESAS
23+
TO-252
50
全新原装正品现货,支持订货
询价
R
25+
TO251
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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更多H5N2005DL供应商 更新时间2025-12-6 10:20:00