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H5N2301PF

Power MOSFETs and IGBT for PDP

文件:136.18 Kbytes 页数:2 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N2301PF

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

H5PS1G63EFR-S5C

FBGA84

H5PS1G63EFR-S5C-C

BGA

SKHYNIX

H5PS1G63EFR-S6C

FBGA84

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3PFM

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    230

  • ID (A):

    25

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    85

  • Ciss (pF) 典型值:

    2250

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    60

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    70

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
瑞萨Renesa
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更多H5N2301PF供应商 更新时间2025-11-30 14:02:00