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H5N2008P

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N2008P

Power MOSFETs;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N2008P_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    200

  • ID (A):

    96

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    23

  • Ciss (pF) 典型值:

    4900

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    98

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更多H5N2008P供应商 更新时间2025-7-28 13:45:00