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H5N2509P

SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING

SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

H5N2509P

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.053Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=250V,VGS=0V) •Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3Ω,VGS=10V) •Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) •Avalancheratin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N2509P

Power MOSFETs and IGBT for PDP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N2509P-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.053Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=250V,VGS=0V) •Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3Ω,VGS=10V) •Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) •Avalancheratin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N2509P_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    H5N2509P

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多H5N2509P供应商 更新时间2025-5-19 22:58:00