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H5N2509P	文件：263.05 Kbytes Page：11 Pages	SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING) 文件：263.05 Kbytes 页数：11 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
H5N2509P	文件：87.25 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • Avalanche ratin 文件：87.25 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs and IGBT for PDP 文件：136.18 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P-E	文件：87.25 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • Avalanche ratin 文件：87.25 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P_15	文件：106.44 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：106.44 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
250
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
69
Ciss (pF) 典型值：
3600
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
110

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