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H5N2509P-E	文件：87.25 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.053Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=250V,VGS=0V) •Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3Ω,VGS=10V) •Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) •Avalancheratin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
H5N2509P	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETsandIGBTforPDP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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H5N2509P	文件：263.05 Kbytes Page：11 Pages	SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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