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H5N2005DS	文件：52.6 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low drive current • High speed switching 文件：52.6 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
H5N2005DS	文件：60.2 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low drive current • High speed switching 文件：60.2 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2005DS	文件：994.03 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V. 文件：994.03 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
H5N2005DSTL-E	文件：60.2 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low drive current • High speed switching 文件：60.2 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2005DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance\n• Low drive current\n• High speed switching ;	HITACHI 日立	HITACHI
H5N2005DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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