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H5N2003P	文件：85.73 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Drain to Source voltage VDSS 200V Gate to Source voltage VGSS ±30V Drain current ID 60A 文件：85.73 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2003P-E	文件：85.73 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Drain to Source voltage VDSS 200V Gate to Source voltage VGSS ±30V Drain current ID 60A 文件：85.73 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2003P_15	文件：105.71 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.71 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2003P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
200
ID (A)：
60
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
42
Ciss (pF) 典型值：
5150
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
132

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更多H5N2003P供应商更新时间2025-10-4 14:02:00

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