GTVA311801FA-V1中文资料High Power RF GaN on SiC HEMT 180 W, 50 V, 2700 – 3100 MHz数据手册MACOM规格书

厂商型号	GTVA311801FA-V1
功能描述	High Power RF GaN on SiC HEMT 180 W, 50 V, 2700 – 3100 MHz
制造商	MACOM Tyco Electronics
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-10-31 23:00:00
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GTVA311801FA-V1规格书详情

描述 Description

Broadband internal input matching Typical pulsed CW performance (class AB); 2700 – 3100 MHz; 50 V; 300 μs pulse width; 10% duty cycle; Output power at P3dB = 180 W; Drain efficiency = 70%; Gain (P3dB) = 15 dB Pb-free and RoHS compliant

特性 Features

• Broadband internal input matching
•Pb-free and RoHS compliant

应用 Application

• Radar Amplifiers

技术参数

制造商编号
：GTVA311801FA-V1
生产厂家
：MACOM
Application
：L-Band / S-Band / X-Band / C-Band / Ku-Band
Power Gain
：15 dB
Operating Voltage
：50 V
Frequency
：2.7 - 3.1 GHz
Package Type
：Earless
Efficiency
：70%
Technology
：GaN

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