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GTVA263202FC-V1中文资料High Power RF GaN-on-SiC HEMT 340 W, 48 V, 2620 - 2690 MHz数据手册MACOM规格书
| 厂商型号 |
GTVA263202FC-V1 |
| 参数属性 | GTVA263202FC-V1 封装/外壳为H-37248-4；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ |
| 功能描述 | High Power RF GaN-on-SiC HEMT 340 W, 48 V, 2620 - 2690 MHz |
| 封装外壳 | H-37248-4 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 23:00:00 |
| 人工找货 | GTVA263202FC-V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GTVA263202FC-V1规格书详情
描述 Description
The GTVA263202FC is a 340-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally enhanced surface-mount package with earless flange.
特性 Features
·Typical Pulsed CW performance; 2690 MHz, 48 V, combined outputs
·Output power P3dB 340 W
·Efficiency 70 %
·Gain 16 dB
·Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 80 W (CW) output power
·Pb-free and RoHS compliant
·Input matched
应用 Application
·Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：GTVA263202FC-V1
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency (MHz)
：2300
- Max Frequency(MHz)
：2700
- P3dB Output Power(W)
：340
- Gain(dB)
：17.0
- Efficiency(%)
：40
- Operating Voltage(V)
：48
- Package Category
：Earless
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Technology
：GaN-on-SiC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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