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FQPF18N20V2	文件：793.14 Kbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF18N20V2	文件：278.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF18N20V2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQPF18N20V2YDTU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQPF33N10	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO-220F	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司相关企业：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	Fairchild

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更多FQPF18N20V2供应商更新时间2025-7-30 11:16:00