60V N-Channel MOSFET

Features • 15 A, 60 V, RDS(on)= 60 mΩ(Max.) @ VGS= 10 V, ID= 7.5 A • Low Gate Charge (Typ. 11.5 nC) • Low Crss (Typ. 25 pF) • 100 Avalanche Tested • 175°C Maximum Junction Temperature Rating

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.06Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，15 A，60 mΩ，TO-220F

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •15A, 60V, RDS(on)= 60mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 7.5A栅极电荷低（典型值：11.5nC)\n•低 Crss（典型值25pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体

60V LOGIC N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，QFET® MOSFET 60V，15.7A，52mΩ 功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，15.7 A，52 mΩ，TO-220F

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •15.7A, 60V, RDS(on)= 52mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 7.85A栅极电荷低（典型值：9.5nC)\n•低 Crss（典型值35pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体