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FQPF20N06L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQPF20N06L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•15.7A, 60V, RDS(on)= 52mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 7.85A栅极电荷低(典型值:9.5nC)
•低 Crss(典型值35pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• LCD 电视
• PDP电视
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
:FQPF20N06L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:15.7
- PD Max (W)
:30
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:70
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:55
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:9.5
- Ciss Typ (pF)
:480
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
1844+ |
TO-220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO220F |
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FAIRCHILD |
24+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220F3L |
36900 |
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询价 |