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FQPF3N90

900V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

文件:675.74 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQPF3N90

900V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

HFD3N90

900V N-Channel MOSFET

文件:1.18202 Mbytes 页数:9 Pages

SEMIHOW

HFP3N90

900V N-Channel MOSFET

文件:1.20489 Mbytes 页数:9 Pages

SEMIHOW

HFU3N90

900V N-Channel MOSFET

文件:1.18202 Mbytes 页数:9 Pages

SEMIHOW

详细参数

  • 型号:

    FQPF3N90

  • 功能描述:

    MOSFET 900V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童原装特价FQPF3N90即刻询购立享优惠#长期有货
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更多FQPF3N90供应商 更新时间2025-12-22 18:40:00