isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.01Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

60V N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，53 A，10 mΩ，TO-220F

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •53A, 60V, RDS(on)= 10mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 26.5A栅极电荷低（典型值：36nC)\n•低 Crss（典型值165pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体