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FQPF50N06L	文件：664.92 Kbytes Page：8 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •32.6A,60V,RDS(on)=0.021Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical24.5nC) •LowCrss(typical90pF) •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF50N06L	文件：277.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.021Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
50N06	文件：145.94 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC50N06isthree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityofabout50A,fastswitchingspeed.Lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof60V,andmaxthresholdvoltagesof4volt.Itismainlysuitableelectronicballast,andlowpowerswitchingmod	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：330.9 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
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50N06	文件：808.45 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：65.56 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
50N06	文件：1.38226 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
50N06	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
50N06	文件：194.25 Kbytes Page：2 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
50N06	文件：445.89 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
50N06	文件：338.75 Kbytes Page：6 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
50N06	文件：1.25018 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON),12mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWUMW 友台友台半导体
50N06B	文件：399.79 Kbytes Page：6 Pages	null50A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
50N06B	文件：194.25 Kbytes Page：2 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
50N06F	文件：194.25 Kbytes Page：2 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

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详细参数

型号：
FQPF50N06L
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQPF50N06L供应商更新时间2024-4-27 8:30:00

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