800V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are product using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan

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Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：278.38 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N 沟道，QFET® MOSFET，800V，1.5A，6.3Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •1.5A, 800V, RDS(on)= 6.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.75A栅极电荷低（典型值：12nC)\n•低 Crss（典型值5.5pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\"\n• 100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 QFET® MOSFET

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •1.5 A，800 V，RDS(on)=6.3Ω（最大值）（VGS=10 V，ID=0.75 A 时）\n•低栅极电荷（典型值12 nC)\n•低Crss（典型值5.5 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体