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FQPF2N80YDTU中文资料N 沟道 QFET® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FQPF2N80YDTU规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.5 A,800 V,RDS(on)=6.3Ω(最大值)(VGS=10 V,ID=0.75 A 时)
•低栅极电荷(典型值12 nC)
•低Crss(典型值5.5 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQPF2N80YDTU
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:800
- VGS Max (V)
:5
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:1.5
- PD Max (W)
:35
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:6300
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:12
- Ciss Typ (pF)
:425
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1600 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
1600 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FCS |
20+ |
TO-220F3L |
36900 |
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FAIRCHILD |
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TO220F |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
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询价 | ||
FCS |
25+ |
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220F |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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1983 |
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