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FQPF19N20C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF19N20C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•19A, 200V, RDS(on)= 170mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.5A栅极电荷低（典型值：40.5nC)
•低 Crss（典型值85pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
：FQPF19N20C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：19
- PD Max (W)
：43
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：170
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40.5
- Ciss Typ (pF)
：830
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
12+ |
TO-220F |
18 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220F |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-220F |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220F |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-220F |
8080 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220F |
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只做原厂渠道 可追溯货源 |
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