首页>FQPF19N20C>规格书详情
FQPF19N20C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQPF19N20C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•19A, 200V, RDS(on)= 170mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.5A栅极电荷低（典型值：40.5nC)
•低 Crss（典型值85pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
：FQPF19N20C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：19
- PD Max (W)
：43
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：170
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40.5
- Ciss Typ (pF)
：830
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220F |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
12+ |
TO-220F |
18 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220F |
4500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1836+ |
TO-220F |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
Fairchi |
24+ |
TO220F |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
FAIRC |
23+ |
TO-220F |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-220F |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 |
