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FQPF17P06	文件：675.62 Kbytes Page：8 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：675.62 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF17P06	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU17P06	文件：1.44351 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -60 V, -12 A, 135 m廓 Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.44351 Mbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU17P06	文件：682.2 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：682.2 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU17P06	文件：892.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET MOSFET 文件：892.15 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQPF17P06
功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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