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FQU17P06	文件：682.2 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：682.2 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU17P06	文件：1.44351 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -60 V, -12 A, 135 m廓 Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.44351 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU17P06	文件：892.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET MOSFET 文件：892.15 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU17P06	文件：371.6 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：371.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQU17P06	文件：973.08 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：973.08 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FQU17P06TU	文件：1.59143 Mbytes Page：11 Pages	丝印：FQU17P06；Package：IPAK；P-Channel QFET® MOSFET -60 V, -12 A, 135 mΩ Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.59143 Mbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU17P06	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-12 A，135 mΩ，IPAK 该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-12A, -60V, RDS(on)= 135mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -6A栅极电荷低（典型值：21nC)\n•低 Crss（典型值80 pF）\n•100% 经过雪崩击穿测试\n• 100% Avalanche Tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU17P06TU	文件：1.44351 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -60 V, -12 A, 135 m廓 Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.44351 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU17P06_09	文件：812.35 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET 文件：812.35 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
±25
VGS(th) Max (V)：
-4
ID Max (A)：
-12
PD Max (W)：
44
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
135
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
21
Ciss Typ (pF)：
400
Package Type：
IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

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更多FQU17P06供应商更新时间2026-1-20 11:44:00

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