首页 >FQP2N60C_Q>规格书列表
零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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600VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司 | HUILIDA | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
N-ChannelMOSFET | SIPOWER SiPower Inc. | SIPOWER | ||
600V/2.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET | HY HY ELECTRONIC CORP. | HY | ||
600V/2.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET | HY HY ELECTRONIC CORP. | HY | ||
600V/2.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET | HY HY ELECTRONIC CORP. | HY | ||
600V/2.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET | HY HY ELECTRONIC CORP. | HY | ||
2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | WXDH | ||
2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | WXDH |
详细参数
- 型号:
FQP2N60C_Q
- 功能描述:
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
询价 | |||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-220 |
20000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
220 |
08 |
68 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
85000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FSC原装 |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
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- FQP3N80C
- FQP3N90
- FQP3P50
- FQP44N08
- FQP44N10F
- FQP45N15V2
- FQP47P06
- FQP47P06_SW82049
- FQP4N20
- FQP4N20TSTU
- FQP4N50
- FQP4N60
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- FQP55N10
- FQP5N20
- FQP5N30
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- FQP5N60C_Q
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