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FQU2N60C	文件：863.86 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU2N60C	文件：842.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductorÿsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,an	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQU2N60C	文件：979.34 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET600V,1.9A,4.7廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance andhighaval	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQU2N60C	文件：331.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU2N60CTU	文件：742.85 Kbytes Page：9 Pages	LowGateCharge(Typ.8.5nC) Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU2N60CTU	文件：979.34 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET600V,1.9A,4.7廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance andhighaval	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FTK2N60D	文件：301.13 Kbytes Page：7 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK2N60F	文件：301.13 Kbytes Page：7 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK2N60I	文件：301.13 Kbytes Page：7 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK2N60P	文件：301.13 Kbytes Page：7 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS

详细参数

型号：
FQP2N60C_Q
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQP2N60C_Q供应商更新时间2025-5-18 11:00:00

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