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FQA36P15	文件：2.38431 Mbytes Page：10 Pages	丝印：FQA36P15；Package：TO-3PN；P-Channel QFET® MOSFET -150 V, -36 A, 90 mΩ Features -36 A, -150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max) @VGS = -10 V, ID = -18 A Low Gate Charge (Typ. 81 nC) Low Crss (Typ. 110 pF) 100% Avalanche Tested 175°C Maximum Junction Temperature Rating Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconducto 文件：2.38431 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：2.38431 Mbytes Page：10 Pages	丝印：FQA36P15；Package：TO-3PN；P-Channel QFET® MOSFET -150 V, -36 A, 90 mΩ Features -36 A, -150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max) @VGS = -10 V, ID = -18 A Low Gate Charge (Typ. 81 nC) Low Crss (Typ. 110 pF) 100% Avalanche Tested 175°C Maximum Junction Temperature Rating Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconducto 文件：2.38431 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：363.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=-36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=-150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09Ω(Max)@VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：363.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA36P15_V01	文件：2.38431 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel QFET® MOSFET -150 V, -36 A, 90 mΩ Features -36 A, -150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max) @VGS = -10 V, ID = -18 A Low Gate Charge (Typ. 81 nC) Low Crss (Typ. 110 pF) 100% Avalanche Tested 175°C Maximum Junction Temperature Rating Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconducto 文件：2.38431 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：658.67 Kbytes Page：8 Pages	150V P-Channel MOSFET 文件：658.67 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：658.67 Kbytes Page：8 Pages	150V P-Channel MOSFET 文件：658.67 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：869.64 Kbytes Page：9 Pages	150V P-Channel MOSFET 文件：869.64 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15_07	文件：869.64 Kbytes Page：9 Pages	150V P-Channel MOSFET 文件：869.64 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15_F109	文件：869.64 Kbytes Page：9 Pages	150V P-Channel MOSFET 文件：869.64 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQA36P15
功能描述：
MOSFET 150V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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