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FQA90N15-F109	文件：1.32891 Mbytes Page：8 Pages	Marking：FQA90N15；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 150 V, 90 A, 18 mΩ Description TheseN-Channelenhancementmodepowerfield effecttransistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andwi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FQA90N15-F109

文件：1.32891 Mbytes

Page：8 Pages

Marking：FQA90N15；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 150 V, 90 A, 18 mΩ

Description TheseN-Channelenhancementmodepowerfield effecttransistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andwi

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FQA90N15
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQA90N15供应商更新时间2025-6-29 14:14:00

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