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IRF1104	文件：338.55 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1104L	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104LPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=0.009廓,ID=100A) VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
FPF1104
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
IntelliMAX™
包装：
卷带（TR）
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
P 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
1.2V ~ 4V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1.2A
导通电阻（典型值）：
35 毫欧
输入类型：
非反相
特性：
负载释放，压摆率受控型
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
4-WLCSP（0.96x0.96）
封装/外壳：
4-UFBGA，WLCSP
描述：
IC PWR SWITCH P-CHAN 1

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