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IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：90.45 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL1104	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：203.35 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：222.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104PBF	文件：172.66 Kbytes Page：9 Pages	Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：172.66 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRL1104S	文件：194.25 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：194.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104S	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：203.35 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL1104SPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：222.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Logic-Level Gate Drive	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL1104S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology Logic-Level Gate Drive	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRL1104
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRL1104	IR	24+	TO-220AB	8866		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRL1104	IR	2015+	TO-220AB	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRL1104	IR	17+	TO-220	6200		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRL1104	ir	06+	TO-220	15000	原装库存	询价
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