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IRL2203STRR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	Vishay 威世	Vishay
IRLI2203	文件：328.14 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A?? Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：328.14 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLI2203G	文件：328.14 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A?? Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：328.14 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLI2203N	文件：113.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 30V R DS(on) = 0.007Ω ID = 61A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：113.34 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRL2203STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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