IRL1104L中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRL1104L规格书详情
VDSS = 40V
RDS(on) = 0.008Ω
ID = 104A
Description
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRL1104S)
● Low-profile through-hole (IRL1104L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Logic-Level Gate Drive
产品属性
- 型号：
IRL1104L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
7284 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
0810+ |
TO-262 |
4034 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
IR |
23+ |
SOT-252 |
688888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO-262 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
