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IRF9540	文件：685.64 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ·DrainCurrent–ID=-19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
IRF9540	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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更多FI9540G供应商更新时间2024-5-18 9:36:00

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