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GRB258E	文件：170.89 Kbytes Page：2 Pages	GRBSeriesFullSizeSealedRockerSwitches	CWIND CW Industries	CWIND
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HER258	文件：47.74 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENTRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
HER258	文件：55.04 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER FEATURES •Lowcoatconstruction •Fastswitchingforhighefficency. •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
HER258	文件：39.96 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENTRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency *Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
HER258	文件：169.7 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER FEATURES •Lowcoatconstruction •Fastswitchingforhighefficency. •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

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详细参数

型号：
FDW258P
功能描述：
MOSFET 12V/8V PCh MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正迈科技有限公司	FDW258P	FAIRCHILD	23+	P-MOSFET/-12V/-9A/11MΩ	3143	正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装	询价
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