N-Channel PowerTrench MOSFET

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 12.5A, 8.2m廓

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 12.5A, 8.2m廓

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，8.5mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 8.2 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 12.5A\n•RDS(ON) = 10.2mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 11.4A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，10.2A，14mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 14mΩ @ VGS = 10V @ ID = 10.2A\n•RDS(ON) = 17mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 9.3A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体