60V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description These N Channel Logic Level MOSFET have been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：9945；Package：SOP-8；Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

GENERAL FEATURES * Vos=60V,1o=6A * Roson

文件：3.56193 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，3.5A，100mΩ

此类N沟道逻辑电平MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。 此类MOSFET同类似的RDS(on)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 •3.5 A, 60 V\n•RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = 4.5 V\n•优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器\n•极快速开关\n•低栅极电荷;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：1.09093 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体