FDS9945中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，3.5A，100mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS9945规格书详情
描述 Description
此类N沟道逻辑电平MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。 此类MOSFET同类似的RDS(on)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
特性 Features
•3.5 A, 60 V
•RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = 4.5 V
•优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
•极快速开关
•低栅极电荷
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
技术参数
- 制造商编号
：FDS9945
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：3.5
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：420
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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