FDS9934C中文资料互补，PowerTrench® MOSFET，20V数据手册ONSEMI规格书
FDS9934C规格书详情
描述 Description
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
特性 Features
• Q1： -6.5A、-20V
• RDS(ON) = 43 mΩ @ VGS = 2.5 VQ2： -5A、-20V
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS9934C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：Q1:1.5
- ID Max (A)
：-5
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N: 43
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.7
- Ciss Typ (pF)
：955
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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