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FDS9926A中文资料双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,6.5A,30mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS9926A

功能描述

双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,6.5A,30mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:00:00

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FDS9926A规格书详情

描述 Description

此类N沟道2.5V规格MOSFET采用飞兆半导体先进PowerTrench工艺生产。 它已针对广泛栅极驱动电压(2.5V – 10V)的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•6.5 A, 20 V
•RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 43 mΩ @ VGS = 2.5 V
•针对电池保护电路中的使用优化。
•±10 VGSS允许更宽的工作电压范围
•低栅极电荷

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Protection
• Load Switch
• Power Management

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS9926A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :10

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :6.5

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=43

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.2

  • Ciss Typ (pF)

    :650

  • Package Type

    :SOIC-8

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