双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-80V，-2.1A，183mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。 •最大rDS(on) = 183 mO （VGS = -10 V, ID = -2.1 A）\n•最大值rDS(on) = 247 mO （VGS = -4.5 V, ID = -1.9 A）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -80 V, -2.1 A, 183 m廓

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FAIRCHILD

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