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FDS8935中文资料双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-80V,-2.1A,183mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8935

功能描述

双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-80V,-2.1A,183mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-30 15:11:00

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FDS8935规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性 Features

•最大rDS(on) = 183 mO (VGS = -10 V, ID = -2.1 A)
•最大值rDS(on) = 247 mO (VGS = -4.5 V, ID = -1.9 A)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8935

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-2.1

  • PD Max (W)

    :3.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=273.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=183

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :661

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCILD
22+
SOP-8
8000
原装正品支持实单
询价
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SOP-8
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