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FDS9958_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ; •最大值 rDS(on) = 105 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.9 A）\n•最大值 rDS(on) = 135 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A）\n•符合 AEC Q101\n•符合 RoHS 标准\n; 这些 P-沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FDS9958_F085

文件：300 bytes

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双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ; •最大值 rDS(on) = 105 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.9 A）\n•最大值 rDS(on) = 135 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A）\n•符合 AEC Q101\n•符合 RoHS 标准\n;

这些 P-沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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FDS9958-F085

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Page：6 Pages

Marking：FDS9958；Package：SO-8；Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -60V, -2.9A, 105m廓

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-2.9
PD Max (W)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=135
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=105
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16
Ciss Typ (pF)：
765
Package Type：
SOIC-8

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